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Technische Details MT47H64M16NF-25E AAT:M TR Micron
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 84-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 16.
Weitere Produktangebote MT47H64M16NF-25E AAT:M TR nach Preis ab 5.96 EUR bis 5.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| MT47H64M16NF-25E AAT:M TR | Hersteller : Micron Technology |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA T/R |
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| MT47H64M16NF-25E AAT:M TR | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA T/R |
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| MT47H64M16NF-25E AAT:M TR | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin FBGA |
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| MT47H64M16NF-25E AAT:M TR | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 16 |
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