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MT47H64M16NF-25E AAT:M

MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron

557_1gb_DDR2_automotive_AUT_Addendum.pdf
Hersteller: Micron
DRAM DDR2 1Gbit 16 84/135 TFBGA 1 AT
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Technische Details MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron

Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 1Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 84Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT47H64M16NF-25E AAT:M MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology Inc. 557_1gb_DDR2_automotive_AUT_Addendum.pdf Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Tray
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
10+10 EUR
25+9.7 EUR
50+9.46 EUR
100+9.23 EUR
250+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MT47H64M16NF-25E AAT:M MT47H64M16NF-25E AAT:M MICRON 3151151.pdf Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+99.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology u88b_1gb_ddr2_ait_aat.pdf DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 1368 Stücke:
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MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology u88b_1gb_ddr2_ait_aat.pdf DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA Tray
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Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
Memory Organization: 64M x 16
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Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Tray
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA Tray
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