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|---|---|
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Technische Details MT47H64M8SH-25E:H TR Micron
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote MT47H64M8SH-25E:H TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MT47H64M8SH-25E:H TR | Hersteller : Micron Technology |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R |
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| MT47H64M8SH-25E:H TR | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MT47H64M8SH-25E:H TR | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MT47H64M8SH-25E:H TR | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |