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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Micron Technology Inc.

y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Micron Technology Inc.

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 54-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPSDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Hersteller : Micron y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf DRAM MOBILE SDRAM 512M 32MX16 FBGA
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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Hersteller : Micron Technology Inc. y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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