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MT48H32M16LFB4-6 IT:C

MT48H32M16LFB4-6 IT:C Micron Technology

y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf Hersteller: Micron Technology
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray
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Technische Details MT48H32M16LFB4-6 IT:C Micron Technology

Description: MICRON - MT48H32M16LFB4-6 IT:C - DRAM, Mobile LPSDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, VFBGA, 54 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPSDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C MT48H32M16LFB4-6 IT:C Hersteller : Micron y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf DRAM LPSDR 512Mbit 16 54/81 VFBGA 1 IT
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MT48H32M16LFB4-6 IT:C MT48H32M16LFB4-6 IT:C Hersteller : Micron Technology y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray
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MT48H32M16LFB4-6 IT:C MT48H32M16LFB4-6 IT:C Hersteller : Micron Technology Inc. y67m_512mb_mobile_lpsdr_at.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPSDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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MT48H32M16LFB4-6 IT:C MT48H32M16LFB4-6 IT:C Hersteller : MICRON 3151247.pdf Description: MICRON - MT48H32M16LFB4-6 IT:C - DRAM, Mobile LPSDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, VFBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPSDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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