MT53E128M32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
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Technische Details MT53E128M32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 IT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT53E128M32D2FW-046 IT:A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MT53E128M32D2FW-046 IT:A | Micron |
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MT53E128M32D2FW-046 IT:A | MICRON |
Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 IT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT53E128M32D2FW-046 IT:A |
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Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
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| MT53E128M32D2FW-046 IT:A |
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Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 IT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 IT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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