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MT53E128M32D2FW-046 WT:A

MT53E128M32D2FW-046 WT:A MICRON

MICT-S-A0015179606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 WT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: TFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 4Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 128M x 32 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details MT53E128M32D2FW-046 WT:A MICRON

Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 WT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: TFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 4Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, Taktfrequenz: 2.133GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 128M x 32 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT53E128M32D2FW-046 WT:A MT53E128M32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. z19m_embedded_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=b44486ffff6f4c02bca9721a2becef25 Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT53E128M32D2FW-046 WT:A MT53E128M32D2FW-046 WT:A Micron z19m_embedded_lpddr4_lpddr4x-3193658.pdf DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1360 Stücke
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MT53E128M32D2FW-046 WT:A z19m_embedded_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=b44486ffff6f4c02bca9721a2becef25
MT53E128M32D2FW-046 WT:A
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
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MT53E128M32D2FW-046 WT:A
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
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