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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C

MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C MICRON

MICT-S-A0020191269-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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productTraceability: No
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Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C MICRON

Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron Technology 200b_z42n_automotive_lpddr4x_lpddr4.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron Technology 200b_z42n_automotive_lpddr4x_lpddr4.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron Technology LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron Technology Inc. Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT
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