MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C MICRON
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C MICRON
Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C |
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
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Mindestbestellmenge: 1360 Stücke
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| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C |
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT
DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT
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