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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Micron Technology

200b_z42n_automotive_lpddr4x_lpddr4.pdf Hersteller: Micron Technology
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100
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Technische Details MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Micron Technology

Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Grade: Automotive, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 1G x 16, Qualification: AEC-Q100.

Weitere Produktangebote MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C nach Preis ab 29.32 EUR bis 39.53 EUR

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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron DRAM LPDDR4 PLASTIC Z42N
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron Technology LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT
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MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Hersteller : Micron Technology Inc. Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Qualification: AEC-Q100
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