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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B

MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron

200b_z32m_sdp_ddp_qdp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT
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Technische Details MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron

Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Hersteller : Micron Technology Inc. 200b_z32m_sdp_ddp_qdp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Hersteller : MICRON 200b_z32m_sdp_ddp_qdp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Hersteller : Micron Technology 200b_z32m_sdp_ddp_qdp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Hersteller : Micron Technology nods.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
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