MT53E1G32D2FW-046 AIT:C Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 99 EUR |
| 10+ | 91.38 EUR |
| 25+ | 88.39 EUR |
| 50+ | 86.17 EUR |
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Technische Details MT53E1G32D2FW-046 AIT:C Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MT53E1G32D2FW-046 AIT:C nach Preis ab 121.79 EUR bis 140.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGAtariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Hersteller : Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Hersteller : Micron Technology |
LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |