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MT53E1G32D2FW-046 AUT:B

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MICRON

MICT-S-A0015638924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+113.78 EUR
5+97.53 EUR
10+84.03 EUR
25+78.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Technische Details MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MICRON

Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046.pdf Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1G x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Box
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+201.34 EUR
10+185.58 EUR
25+179.45 EUR
50+174.91 EUR
100+170.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B Micron MT53E1G32D2FW-046.pdf DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+206.82 EUR
10+190.04 EUR
25+183.76 EUR
50+179.12 EUR
100+175.55 EUR
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MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046.pdf
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1G x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Box
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DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT
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10+190.04 EUR
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