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MT53E1G32D2FW-046 WT:A

MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron


Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
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Technische Details MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron

Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 1G x 32, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 2.133 GHz, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X, Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Memory Type: Volatile, Memory Size: 32Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 200-TFBGA, Packaging: Box.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MT53E1G32D2FW-046 WT:A MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1G x 32
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1360 Stücke
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MT53E1G32D2FW-046 WT:A
MT53E1G32D2FW-046 WT:A
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1G x 32
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
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