MT53E256M16D1DS-046 WT:B MICRON
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
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Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details MT53E256M16D1DS-046 WT:B MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -30°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MT53E256M16D1DS-046 WT:B nach Preis ab 11.53 EUR bis 11.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Organization: 256M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Hersteller : MICRON TECHNOLOGY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory Type of integrated circuit: DRAM memory |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Hersteller : Micron Technology |
 Mobile LPDDR4 DRAM Chip |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Hersteller : Micron Technology |
Mobile LPDDR4 DRAM Chip |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Hersteller : Micron | DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 WT |
Produkt ist nicht verfügbar |