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MT53E256M16D1FW-046 AIT:B

MT53E256M16D1FW-046 AIT:B Micron

Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA Z00M
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Technische Details MT53E256M16D1FW-046 AIT:B Micron

Description: MICRON - MT53E256M16D1FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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MT53E256M16D1FW-046 AIT:B MT53E256M16D1FW-046 AIT:B Hersteller : MICRON MICT-S-A0014631087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E256M16D1FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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MT53E256M16D1FW-046 AIT:B Hersteller : Micron Technology pgurl_mic_286225789813085462.pdf LPDRAM Memory
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MT53E256M16D1FW-046 AIT:B Hersteller : Micron Technology Inc. Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ FBGA
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