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MT53E256M32D1KS-046 AIT:L

MT53E256M32D1KS-046 AIT:L Micron


Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT
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Technische Details MT53E256M32D1KS-046 AIT:L Micron

Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AIT:L - DRAM, AEC-Q100, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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MT53E256M32D1KS-046 AIT:L MT53E256M32D1KS-046 AIT:L Hersteller : MICRON MICT-S-A0018251356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AIT:L - DRAM, AEC-Q100, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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MT53E256M32D1KS-046 AIT:L Hersteller : MICRON TECHNOLOGY Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.95V
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Memory: 8Gb DRAM
Clock frequency: 2.133GHz
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...95°C
Supply voltage: 1.1...1.95V
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