MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 25.80 EUR |
| 10+ | 23.89 EUR |
| 25+ | 23.56 EUR |
| 40+ | 23.27 EUR |
| 80+ | 20.39 EUR |
| 230+ | 19.52 EUR |
| 440+ | 19.39 EUR |
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Technische Details MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D2DS-046 IT:B nach Preis ab 19.52 EUR bis 26.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Hersteller : Micron |
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP |
auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Hersteller : MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Hersteller : MICRON |
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auf Bestellung 2409 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MT53E256M32D2DS-046 IT:B | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM |
auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |