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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc.


Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 32
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.866 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.1V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-WFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+33.57 EUR
10+31.06 EUR
25+30.64 EUR
40+30.26 EUR
80+26.51 EUR
230+25.38 EUR
440+25.22 EUR
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Technische Details MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.65 EUR
10+31.17 EUR
25+30.34 EUR
50+26.6 EUR
100+25.44 EUR
250+25.3 EUR
500+25.28 EUR
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MT53E256M32D2DS-053 AIT:B MICRON Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.46 EUR
10+32.25 EUR
25+26.8 EUR
50+25.44 EUR
100+24.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
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Hersteller: Micron
DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT
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100+25.44 EUR
250+25.3 EUR
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Produktpalette: -
productTraceability: No
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Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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