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MT53E2G32D4DE-046 AUT:C

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MICRON

MICT-S-A0020191269-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 324 Stücke:
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Technische Details MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MICRON

Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C Hersteller : Micron Technology 200b_z42n_automotive_lpddr4x_lpddr4_1031537716540198155.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 64Gbit 2Gx32 1.1V/1.8V Automotive AEC-Q100 200-Pin TFBGA
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MT53E2G32D4DE-046 AUT:C Hersteller : Micron Technology Inc. Description: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 2G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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