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MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron

Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 WT

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Technische Details MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron

Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Box, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 2G x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	MT53E2G32D4DE-046 WT:C	Micron Technology Inc.	Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MT53E2G32D4DE-046 WT:C

Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 2G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified

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