MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc.
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 24.20 EUR |
| 10+ | 22.44 EUR |
| 25+ | 21.74 EUR |
| 40+ | 21.38 EUR |
| 80+ | 20.86 EUR |
| 230+ | 20.07 EUR |
| 440+ | 19.59 EUR |
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Technische Details MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT53E512M32D1NP-046 WT:B nach Preis ab 13.93 EUR bis 26.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Hersteller : Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Z42M |
auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Hersteller : MICRON |
Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Hersteller : Micron Technology |
 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DRAM Chip |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Hersteller : Micron Technology |
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DRAM Chip |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Hersteller : Micron Technology |
LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DRAM Chip |
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