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MT53E512M32D1NP-046 WT:B

MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc.

z42m-embedded-lpddr4x-lpddr4.pdf
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MT53E512M32D1NP-046 WT:B MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron z42m-embedded-lpddr4x-lpddr4.pdf DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
auf Bestellung 427 Stücke:
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MT53E512M32D1NP-046 WT:B MT53E512M32D1NP-046 WT:B MICRON z42m-embedded-lpddr4x-lpddr4.pdf Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 168 Stücke:
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MT53E512M32D1NP-046 WT:B
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
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MT53E512M32D1NP-046 WT:B
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
auf Bestellung 168 Stücke:
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