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Technische Details MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR Micron
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V, Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM, Memory: 16Gb DRAM, Operating temperature: -40...105°C, Clock frequency: 2.133GHz, Mounting: SMD, Supply voltage: 1.1...1.17V, Type of integrated circuit: DRAM memory.
Weitere Produktangebote MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | MICRON TECHNOLOGY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | Micron Technology | MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR |
Hersteller: MICRON TECHNOLOGY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V
Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Memory: 16Gb DRAM
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 2.133GHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...1.17V
Type of integrated circuit: DRAM memory
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V
Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Memory: 16Gb DRAM
Operating temperature: -40...105°C
Clock frequency: 2.133GHz
Mounting: SMD
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| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR |
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