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MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc.


Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 685 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+36.93 EUR
10+34.21 EUR
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50+32.32 EUR
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250+30.48 EUR
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Technische Details MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit.

Weitere Produktangebote MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B nach Preis ab 397.75 EUR bis 397.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT
auf Bestellung 1139 Stücke:
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MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
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Hersteller: Micron
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