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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B

MT53E512M32D1ZW-046 IT:B Micron Technology Inc.


Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+33.3 EUR
10+30.87 EUR
25+29.9 EUR
40+29.4 EUR
80+28.69 EUR
230+27.6 EUR
440+26.94 EUR
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Technische Details MT53E512M32D1ZW-046 IT:B Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B MT53E512M32D1ZW-046 IT:B Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+78.54 EUR
10+72.61 EUR
25+70.27 EUR
50+68.51 EUR
100+66.79 EUR
250+64.55 EUR
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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B MT53E512M32D1ZW-046 IT:B MICRON Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+411.06 EUR
5+366.85 EUR
10+324.92 EUR
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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
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100+66.79 EUR
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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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