MT53E512M32D1ZW-046BIT:B MICRON
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046BIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 615.12 EUR |
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Technische Details MT53E512M32D1ZW-046BIT:B MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046BIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit.
Weitere Produktangebote MT53E512M32D1ZW-046BIT:B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B | MICRON TECHNOLOGY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.95V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.95V Type of integrated circuit: DRAM memory |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B |
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B |
Hersteller: MICRON TECHNOLOGY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.95V
Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Memory: 16Gb DRAM
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 2.133GHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...1.95V
Type of integrated circuit: DRAM memory
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.95V
Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Memory: 16Gb DRAM
Operating temperature: -40...95°C
Clock frequency: 2.133GHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.1...1.95V
Type of integrated circuit: DRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
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