MT53E512M64D2RR-046 WT:B MICRON
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M64D2RR-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
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Technische Details MT53E512M64D2RR-046 WT:B MICRON
Description: MICRON - MT53E512M64D2RR-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit.
Weitere Produktangebote MT53E512M64D2RR-046 WT:B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E512M64D2RR-046 WT:B | Micron Technology Inc. |
Description: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA Package / Case: 556-BGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512M x 64 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Supplier Device Package: 556-WFBGA Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT53E512M64D2RR-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 64 556/841 WFBGA 2 WT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT53E512M64D2RR-046 WT:B |
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
Package / Case: 556-BGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 64
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 556-WFBGA
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Description: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
Package / Case: 556-BGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512M x 64
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Supplier Device Package: 556-WFBGA
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Gbit
Mounting Type: Surface Mount
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| MT53E512M64D2RR-046 WT:B |
Hersteller: Micron
DRAM LPDDR4 32Gbit 64 556/841 WFBGA 2 WT
DRAM LPDDR4 32Gbit 64 556/841 WFBGA 2 WT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1360 Stücke
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