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MT53E512M64D2RR-046 WT:B

MT53E512M64D2RR-046 WT:B MICRON

3916659.pdf Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M64D2RR-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
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Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 680 Stücke:
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Technische Details MT53E512M64D2RR-046 WT:B MICRON

Description: MICRON - MT53E512M64D2RR-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Weitere Produktangebote MT53E512M64D2RR-046 WT:B nach Preis ab 38.05 EUR bis 44.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MT53E512M64D2RR-046 WT:B Hersteller : Micron DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA DDP Z42M
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Anzahl Preis
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MT53E512M64D2RR-046 WT:B Hersteller : Micron Technology pgurl_mic_80301654541462355.pdf IC MEMORY DRAM
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MT53E512M64D2RR-046 WT:B Hersteller : Micron Technology Inc. Description: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 556-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 556-WFBGA
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 64
DigiKey Programmable: Not Verified
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