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Technische Details MTA4ATF51264HZ-3G2R1 Micron
Description: MICRON - MTA4ATF51264HZ-3G2R1 - RAM-Speichermodul, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, Notebook-SODIMM, tariffCode: 84733020, Speicheranwendung: Notebook-SODIMM, Modul-Formfaktor: DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Modulspeicher: PC4-3200, Speicherdichte: 4GB, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 1.14V, euEccn: NLR, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 1.26V, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speichergeschwindigkeit: 1MHz, Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MTA4ATF51264HZ-3G2R1 nach Preis ab 39.26 EUR bis 50.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MTA4ATF51264HZ-3G2R1 | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MTA4ATF51264HZ-3G2R1 - RAM-Speichermodul, 4 GB, 1 MHz, PC4-3200, DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig, Notebook-SODIMMtariffCode: 84733020 Speicheranwendung: Notebook-SODIMM Modul-Formfaktor: DDR4 SDRAM SO-DIMM, 260-polig rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulspeicher: PC4-3200 Speicherdichte: 4GB usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 1.14V euEccn: NLR Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.26V Betriebstemperatur, max.: 95°C Speichergeschwindigkeit: 1MHz Speicherkonfiguration: 512M x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| MTA4ATF51264HZ-3G2R1 | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: MODULE DDR4 SDRAM 4GB 260SODIMM Packaging: Tray Package / Case: 260-SODIMM Memory Size: 4GB Memory Type: DDR4 SDRAM Transfer Rate (Mb/s, MT/s, MHz): 3200 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MTA4ATF51264HZ-3G2R1 | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Module DDR4 SDRAM 4Gbyte 260SODIMM |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |