MTD3055VL ON Semiconductor
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Technische Details MTD3055VL ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MTD3055VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18, Rds(on)-Prüfspannung: 5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote MTD3055VL nach Preis ab 1.1 EUR bis 1.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MTD3055VL | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MTD3055VL | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MTD3055VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 48 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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MTD3055VL | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MTD3055VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 48 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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MTD3055VL Produktcode: 31590 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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MTD3055VL | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MTD3055VL | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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MTD3055VL | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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MTD3055VL | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode |
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