Technische Details MTP6N60E MC
N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MTP6N60E | ON Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
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| MTP6N60E | onsemi | Array |
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| MTP6N60E |
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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