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MUN2111T1G

MUN2111T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details MUN2111T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 338mW, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN2111T1G MUN2111T1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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auf Bestellung 6000 Stücke:
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MUN2111T1G MUN2111T1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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9000+0.067 EUR
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auf Bestellung 8480 Stücke:
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1475+0.12 EUR
2029+0.086 EUR
2393+0.071 EUR
3022+0.055 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1475 Stücke
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MUN2111T1G MUN2111T1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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1475+0.12 EUR
2029+0.083 EUR
2393+0.068 EUR
3022+0.052 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1475 Stücke
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MUN2111T1G MUN2111T1G ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 35...60
auf Bestellung 1984 Stücke:
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334+0.25 EUR
455+0.19 EUR
550+0.15 EUR
1042+0.082 EUR
1534+0.056 EUR
1737+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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MUN2111T1G MUN2111T1G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 25390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MUN2111T1G MUN2111T1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN2111T1G MUN2111T1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MUN2111T1G MUN2111T1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 32846 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 273000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
100000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
9000+0.067 EUR
27000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1475+0.12 EUR
2029+0.086 EUR
2393+0.071 EUR
3022+0.055 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1475 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1475+0.12 EUR
2029+0.083 EUR
2393+0.068 EUR
3022+0.052 EUR
6000+0.048 EUR
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MUN2111T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 338mW; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 338mW
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 35...60
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.25 EUR
455+0.19 EUR
550+0.15 EUR
1042+0.082 EUR
1534+0.056 EUR
1737+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 25390 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
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1000+0.086 EUR
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MUN2111T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
154+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN2111T1G 2353760.pdf
MUN2111T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN2111T1G 2353760.pdf
MUN2111T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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