Technische Details MUN2237T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Power - Max: 338 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MUN2237T1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.058 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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MUN2237T1G | ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN2237T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 89700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN2237T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN2237T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN2237T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
auf Bestellung 389700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN2237T1G | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN |
auf Bestellung 24219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| MUN2237T1G |
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auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MUN2237T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13275+ | 0.05 EUR |
| MUN2237T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 13275+ | 0.05 EUR |
| MUN2237T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
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| MUN2237T1G |
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| MUN2237T1G |
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Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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| 11539+ | 0.058 EUR |
| MUN2237T1G |
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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| MUN2237T1G |
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)