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MUN5111T1G

MUN5111T1G onsemi

dta114e-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.044 EUR
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15000+0.038 EUR
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Technische Details MUN5111T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Power - Max: 202 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MUN5111T1G MUN5111T1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
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67+0.26 EUR
113+0.16 EUR
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500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
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MUN5111T1G MUN5111T1G onsemi DTA114E_D-2310690.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
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15+0.2 EUR
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1000+0.055 EUR
3000+0.044 EUR
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MUN5111T1G MUN5111T1G ON Semiconductor DTA114E-D-1773641.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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Resistors Included: R1 and R2
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
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Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
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Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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