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MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G onsemi

dta124ed-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.085 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.072 EUR
15000+0.067 EUR
21000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details MUN5112DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EA7B8E0F546749&compId=MUN5112DW1.PDF?ci_sign=53cd7d7b219f4787409c7fe4f401de51774bb2b9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
596+0.12 EUR
960+0.075 EUR
1558+0.046 EUR
1645+0.043 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0EA7B8E0F546749&compId=MUN5112DW1.PDF?ci_sign=53cd7d7b219f4787409c7fe4f401de51774bb2b9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.187W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
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Anzahl Preis
358+0.2 EUR
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1645+0.043 EUR
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MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Hersteller : onsemi dta124ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
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11+0.26 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.067 EUR
9000+0.056 EUR
24000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Hersteller : onsemi dta124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 22796 Stücke:
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Anzahl Preis
42+0.42 EUR
70+0.25 EUR
112+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 14300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
339+0.43 EUR
500+0.28 EUR
1241+0.11 EUR
1806+0.071 EUR
3059+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 339
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MUN5112DW1T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003157589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5112DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dta124ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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