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MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G onsemi

dta114yd-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.09 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details MUN5114DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1308+0.13 EUR
1376+0.12 EUR
2029+0.082 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.058 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1308 Stücke
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MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G onsemi dta114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 18661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
90+0.24 EUR
134+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ON Semiconductor mun5111dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.46 EUR
559+0.31 EUR
565+0.29 EUR
1308+0.12 EUR
1320+0.11 EUR
1376+0.1 EUR
2029+0.068 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ONSEMI 2338004.pdf Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
1097+0.19 EUR
1752+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G onsemi DTA114YD_D-2310943.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.4 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.096 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1G ONSEMI 2338004.pdf Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.84 EUR
445+0.52 EUR
1097+0.19 EUR
1752+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
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MUN5114DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0003157579-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 366379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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MUN5114DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1308+0.13 EUR
1376+0.12 EUR
2029+0.082 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.058 EUR
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MUN5114DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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MUN5114DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24250 Stücke:
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559+0.31 EUR
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1320+0.11 EUR
1376+0.1 EUR
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MUN5114DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13559 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
1097+0.19 EUR
1752+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
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Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
auf Bestellung 135 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+0.61 EUR
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100+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.096 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.074 EUR
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MUN5114DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
297+0.84 EUR
445+0.52 EUR
1097+0.19 EUR
1752+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 366379 Stücke:
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15000+0.088 EUR
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