MUN5116DW1T1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 3704+ | 0.039 EUR |
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Technische Details MUN5116DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote MUN5116DW1T1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP |
auf Bestellung 2076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MUN5116DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5116DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 46833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MUN5116DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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