MUN5132DW1T1G ON Semiconductor
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Technische Details MUN5132DW1T1G ON Semiconductor
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 4.7kΩ, Mounting: SMD, Case: SC70-6; SC88; SOT363, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: PNP x2, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.385W, Current gain: 15...27, Collector-emitter voltage: 50V, Quantity in set/package: 3000pcs., Base-emitter resistor: 4.7kΩ, Base resistor: 4.7kΩ, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT.
Weitere Produktangebote MUN5132DW1T1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MUN5132DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 |
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MUN5132DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR PNP 50V |
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| MUN5132DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.385W Current gain: 15...27 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 3000pcs. Base-emitter resistor: 4.7kΩ Base resistor: 4.7kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
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