MUN5213T1 ON Semiconductor
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8153+ | 0.07 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MUN5213T1 ON Semiconductor
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Weitere Produktangebote MUN5213T1 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUN5213T1 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
MUN5213T1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
MUN5213T1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
|
|
MUN5213T1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
| MUN5213T1 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||
| MUN5213-T1 |
auf Bestellung 2091000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||
| MUN5213T1 |
|
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||
| MUN5213T1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5213T1 - MUN5213T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||
 |
MUN5213T1 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |