MUN5213DW1T1 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5323+ | 0.1 EUR |
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Technische Details MUN5213DW1T1 onsemi
Description: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MUN5213DW1T1 | ON |
07+; |
auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MUN5213DW1T1 |
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Hersteller: ON
07+;
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
