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MUN5213T1G

MUN5213T1G ON Semiconductor

dtc144e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MUN5213T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : onsemi DTC144E_D-2310824.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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MUN5213T1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc144e-d.pdf NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
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MUN5213T1G Hersteller : ONSEMI dtc144e-d.pdf MUN5213T1G NPN SMD transistors
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MUN5213T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809033-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MUN5213T1G
Produktcode: 177311
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