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MUN5213T1G

MUN5213T1G ON Semiconductor

dtc144e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MUN5213T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ONSEMI MUN5213.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2146+ 0.033 EUR
2500+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 358
MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ONSEMI MUN5213.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : onsemi DTC144E_D-2310824.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
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1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.075 EUR
9000+ 0.065 EUR
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
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MUN5213T1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc144e-d.pdf NPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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MUN5213T1G
Produktcode: 177311 		dtc144e-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MUN5213T1G MUN5213T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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