MUN5214DW1T1G


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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 68538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
834+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
1719+0.12 EUR
1954+0.11 EUR
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 68538 Stücke:
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834+0.27 EUR
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI dtc114yd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5214DW1T1G ON-Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
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MUN5214DW1T1G 1879301.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 468 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 468 Stücke:
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MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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