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MUN5214DW1T1G

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Produktcode: 56814
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 50280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI dtc114yd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 12985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
379+0.23 EUR
439+0.19 EUR
627+0.13 EUR
736+0.12 EUR
1042+0.082 EUR
1202+0.07 EUR
1500+0.065 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 42762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G onsemi dtc114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 50342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 69138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.52 EUR
834+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
1719+0.12 EUR
1954+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ONSEMI 1879301.pdf Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 69138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
834+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
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1954+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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MUN5214DW1T1G MUN5214DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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MUN5214DW1T1G ON-Semiconductor dtc114yd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MUN5214DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 50280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
6000+0.074 EUR
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MUN5214DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 12985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.29 EUR
379+0.23 EUR
439+0.19 EUR
627+0.13 EUR
736+0.12 EUR
1042+0.082 EUR
1202+0.07 EUR
1500+0.065 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 42762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MUN5214DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 50342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MUN5214DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 69138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
481+0.52 EUR
834+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
1719+0.12 EUR
1954+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 481 Stücke
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MUN5214DW1T1G 1879301.pdf
MUN5214DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 69138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
834+0.27 EUR
1252+0.17 EUR
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1954+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MUN5214DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 209 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5214DW1T1G dtc114yd-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.11 EUR
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