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MUN5230T1G

MUN5230T1G ON Semiconductor

dtc113e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Technische Details MUN5230T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Power - Max: 202 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5230T1G MUN5230T1G ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5230T1G MUN5230T1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+0.089 EUR
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MUN5230T1G MUN5230T1G onsemi DTC113E_D-2310891.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MUN5230T1G MUN5230T1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
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40+0.52 EUR
58+0.37 EUR
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MUN5230T1G ONSEMI ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5230T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
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Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5230T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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