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MUN5231DW1T1G

MUN5231DW1T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MUN5231DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5231DW1T1G MUN5231DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5231DW1T1G MUN5231DW1T1G onsemi dtc123ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MUN5231DW1T1G MUN5231DW1T1G onsemi dtc123ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MUN5231DW1T1G MUN5231DW1T1G onsemi dtc123ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Part Status: Active
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Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
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Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
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Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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