Technische Details MUN5233T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MUN5233T1G nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 113000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 200 |
auf Bestellung 25982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUN5233T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
auf Bestellung 28738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 29070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
|
MUN5233T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 363 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5233T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 201272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 113000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20135+ | 0.032 EUR |
| 100000+ | 0.027 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3449+ | 0.051 EUR |
| 9000+ | 0.048 EUR |
| 27000+ | 0.044 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 6000+ | 0.052 EUR |
| 9000+ | 0.05 EUR |
| 15000+ | 0.045 EUR |
| 21000+ | 0.043 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1880+ | 0.094 EUR |
| 2305+ | 0.075 EUR |
| 2733+ | 0.062 EUR |
| 3691+ | 0.045 EUR |
| 6000+ | 0.039 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
auf Bestellung 25982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 455+ | 0.19 EUR |
| 589+ | 0.14 EUR |
| 872+ | 0.098 EUR |
| 1042+ | 0.082 EUR |
| 1306+ | 0.065 EUR |
| 1534+ | 0.056 EUR |
| 1786+ | 0.048 EUR |
| 1938+ | 0.044 EUR |
| 3000+ | 0.038 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 660+ | 0.26 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 620+ | 0.29 EUR |
| 1323+ | 0.13 EUR |
| 1891+ | 0.087 EUR |
| 2315+ | 0.068 EUR |
| 2748+ | 0.055 EUR |
| 3704+ | 0.039 EUR |
| 6000+ | 0.033 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 28738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 0.31 EUR |
| 19+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.083 EUR |
| 1000+ | 0.071 EUR |
| 3000+ | 0.055 EUR |
| 6000+ | 0.048 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 29070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 0.31 EUR |
| 113+ | 0.19 EUR |
| 185+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.073 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 782+ | 0.32 EUR |
| 1101+ | 0.21 EUR |
| 1859+ | 0.12 EUR |
| 3572+ | 0.06 EUR |
| 3650+ | 0.058 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 782+ | 0.32 EUR |
| 1101+ | 0.21 EUR |
| 1859+ | 0.12 EUR |
| 3572+ | 0.06 EUR |
| 3650+ | 0.058 EUR |
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MUN5233T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MUN5233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 201272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15000+ | 0.069 EUR |





