MUN5236DW1T1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details MUN5236DW1T1G ON Semiconductor
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 100kΩ, Power dissipation: 0.385W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: SC70-6; SC88; SOT363, Quantity in set/package: 3000pcs., Kind of transistor: BRT, Type of transistor: NPN x2, Collector current: 0.1A, Collector-emitter voltage: 50V, Current gain: 80...150, Base resistor: 100kΩ, Base-emitter resistor: 100kΩ, Polarisation: bipolar.
Weitere Produktangebote MUN5236DW1T1G nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MUN5236DW1T1G | Hersteller : onsemi |
 Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN |
auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5236DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5236DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 121000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5236DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MUN5236DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 100kΩ Power dissipation: 0.385W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...150 Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Polarisation: bipolar |
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