Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MUN5312DW1T1G
MUN5312DW1T1G

MUN5312DW1T1G ON Semiconductor

dtc124ep-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12712+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 12712
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN5312DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote MUN5312DW1T1G nach Preis ab 0.026 EUR bis 0.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1050000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.033 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 26194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2733+0.053 EUR
2763+0.05 EUR
2786+0.048 EUR
3165+0.041 EUR
3345+0.037 EUR
6000+0.034 EUR
15000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2733
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1050000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.053 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.037 EUR
21000+0.034 EUR
30000+0.031 EUR
75000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.059 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 26194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
807+0.18 EUR
1283+0.11 EUR
1296+0.1 EUR
2733+0.047 EUR
2763+0.045 EUR
2786+0.043 EUR
3165+0.036 EUR
3345+0.034 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 807
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : onsemi DTC124EP-D.PDF Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
auf Bestellung 6970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.35 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 24691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
84+0.21 EUR
135+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5312DW1T1G TMUN5312dw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc124ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5312DW1T1G MUN5312DW1T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998CEC64E52A0D820&compId=MUN5312DW1.pdf?ci_sign=bee6b8bd3f3380284cbea030dda802f25eaea960 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH