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MUN5314DW1T1G

MUN5314DW1T1G ON Semiconductor

dtc114yp-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3572+0.049 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.039 EUR
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Technische Details MUN5314DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.068 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.05 EUR
21000+0.048 EUR
30000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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6000+0.067 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.052 EUR
30000+0.05 EUR
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6000+0.083 EUR
12000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.093 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ONSEMI MUN5314DW1T1G-DTE.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
459+0.19 EUR
746+0.11 EUR
1071+0.08 EUR
1167+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 726 Stücke:
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G onsemi dtc114yp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
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1000+0.12 EUR
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MUN5314DW1T1G MUN5314DW1T1G ON Semiconductor dtc114yp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5314DW1T1G ON-Semiconductor dtc114yp-d.pdf TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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AnzahlPrivatkunde
479+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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