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MUR1100EG

MUR1100EG ON Semiconductor

mur180ed.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details MUR1100EG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 35A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.75V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MUR11, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote MUR1100EG nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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3000+0.62 EUR
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MUR1100EG MUR1100EG onsemi mur180e-d.pdf description Rectifiers 1000V 1A UltraFast
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2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
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MUR1100EG MUR1100EG onsemi mur180e-d.pdf description Description: DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
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