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Technische Details MUR1100ERLG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUR1100ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 100 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.75V, Sperrverzögerungszeit: 100ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MUR1100ERLG nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.28 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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MUR1100ERLG | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 35A Case: CASE59 Reverse recovery time: 75ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 35A Case: CASE59 Reverse recovery time: 75ns |
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MUR1100ERLG | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 1000V 1A UltraFast |
auf Bestellung 19695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR1100ERLG | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 5130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR1100ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 100 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.75V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 8679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,75; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; trr, нс = 100; Тексп, °C = -65...+175; DO-41 |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUR1100ERLG Produktcode: 31325
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Hersteller : ON |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle Gehäuse: DO-35 Vrr, V: 1000 Iav, A: 1 Trr, ns: 75 |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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MUR1100ERLG | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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