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MUR180ERLG

MUR180ERLG ON Semiconductor

mur180e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R
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Technische Details MUR180ERLG ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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MUR180ERLG MUR180ERLG Hersteller : onsemi mur180e-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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MUR180ERLG MUR180ERLG Hersteller : onsemi mur180e-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
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MUR180ERLG MUR180ERLG Hersteller : onsemi MUR180E_D-2316249.pdf Rectifiers 800V 1A UltraFast
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