MUR20060CT GeneSiC Semiconductor
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|---|---|
| 1+ | 176.7 EUR |
| 10+ | 155.2 EUR |
| 25+ | 147.38 EUR |
| 40+ | 147.33 EUR |
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Technische Details MUR20060CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MUR20060CT |
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MUR20060CT Produktcode: 175448
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| MUR20060CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Twin Tower |
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| MUR20060CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
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