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Technische Details MUR2100EG onsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| MUR2100EG | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUR2100EG | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 2A 100ns 2-Pin DO-41 Bag |
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MUR2100EG | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 2A 100ns 2-Pin DO-41 Bag |
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MUR2100EG | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUR2100EG | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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